Reactive-ion-etching (RIE) process in CF4 plasma as a method of fluorine implantation (vol 82, pg 1046, 2008)

被引：0

作者：

Kalisz, Malgorzata ^{[1
]}

Beck, R. B. ^{[1
]}

Cwil, M. ^{[2
]}

机构：

[1] Warsaw Univ Technol, Inst Microelect & Optoelect, PL-00668 Warsaw, Poland

[2] Tele & Radio Res Inst, PL-03450 Warsaw, Poland

来源：

关键词：

D O I：

10.1016/j.vacuum.2008.06.001

中图分类号：

T [工业技术];

学科分类号：

08 ;

摘要：

引用

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