Response to "Comment on 'Modeling of the electron mobility in GaN materials'" [J. Appl. Phys. 99, 036106 (2006)]

被引:0
作者
Abdel-Motaleb, IM [1 ]
Korotkov, RY
机构
[1] No Illinois Univ, Dept Elect Engn, De Kalb, IL 60115 USA
[2] Arkema Inc, Strateg Res, King Of Prussia, PA 19406 USA
关键词
D O I
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中图分类号
O59 [应用物理学];
学科分类号
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共 2 条
[1]   Modeling of electron mobility in GaN materials [J].
Abdel-Motaleb, IM ;
Korotkov, RY .
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2005, 97 (09)
[2]   ELECTRON HALL-MOBILITY OF N-GAN [J].
RODE, DL ;
GASKILL, DK .
APPLIED PHYSICS LETTERS, 1995, 66 (15) :1972-1973