Unintentional p-type conductivity in intrinsic Ge-rich SiGe/Ge heterostructures grown on Si(001) (vol 122, 243503, 2023)

被引：0

作者：

Tetzner, H. ^{[1
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Seifert, W. ^{[1
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Skibitzki, O. ^{[1
]}

Yamamoto, Y. ^{[1
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Lisker, M. ^{[1
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Mirza, M. M. ^{[2
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Fischer, I. A. ^{[3
]}

Paul, D. J. ^{[2
]}

Seta, Monica De ^{[4
]}

Capellini, G. ^{[1
,4
]}

机构：

[1] IHP Leibniz Inst Innovat Mikroelektron, Technol Pk 25, Frankfurt, Germany

[2] Univ Glasgow, James Watt Sch Engn, Rankine Bldg,Oakfield Ave, Glasgow G12 8LT, Lanark, Scotland

[3] BTU Cottbus Senftenberg, Expt Phys & Funkt Mat, Erich Weinert Str 1, D-03046 Cottbus, Germany

[4] Univ Roma Tre, Dipartimento Sci, Viale G Marconi 446, I-00146 Rome, Italy

来源：

关键词：

D O I：

10.1063/5.0169378

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

页数：1

共 42 条