常压MOCVD法生长ZnSe/ZnSxSe1-X应变层超晶格

被引：0

作者：

范广涵 ^{[1
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关郑平 ^{[1
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范希武 ^{[1
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宋世惠 ^{[1
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张继英 ^{[1
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李梅 ^{[1
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机构：

[1] 中国科学院长春物理研究所

来源：

关键词：

MOCVD; 应变层超晶格; ZnSe/ZnS_xSe;

D O I：

10.16553/j.cnki.issn1000-985x.1988.z1.222

中图分类号：

学科分类号：

摘要：

超晶格结构是近年来半导体学科的最重大的进展,也为晶体生长学科提出了新的研究领域和课题。MOCVD 法和 MBE 法是制备超晶格的最有力的手段。由于超晶格的激子效应,禁带宽、激子束缚能高的 ZnSe 系超晶格结构为实现兰色受激发射器件和可见短波长激子型光学双稳器件提供了有希望的途径。

引用

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