加压浸出脱除工业硅中杂质铝的研究

被引：5

作者：

于站良 ^{[1
]}

陈家辉 ^{[1
]}

谢刚 ^{[1
]}

马文会 ^{[2
]}

谢克强 ^{[2
]}

机构：

[1] 昆明冶金研究院冶金研究所

[2] 昆明理工大学真空冶金国家工程实验室

来源：

稀有金属 | 2013年 / 37卷 / 03期

关键词：

工业硅; 加压浸出; 杂质Al去除;

D O I：

暂无

中图分类号：

TQ127.2 [硅及其无机化合物];

学科分类号：

摘要：

分析了杂质Al元素在工业硅中的存在形式,并采用加压浸出方法对其进行有效去除。比较了盐酸浓度、反应温度、反应压强、液固比、硅粉颗粒粒度、反应时间等因素对杂质Al脱除效率的影响。实验结果表明,加压浸出过程的较佳反应条件为盐酸浓度4 mol.L-1,反应温度150～160℃,反应压强1.5～1.6 MPa,硅粉最大颗粒尺寸为50μm,液固比:4∶1,反应时间2 h,在此反应条件下,杂质Al的去除效率达到75%,重现性实验研究表明加压浸出处理后的工业硅中杂质Al的残余量小于3×10-4。

引用

页码：453 / 460

页数：8

共 13 条

[1] 从冶金级硅中加压去除杂质铝的动力学
于站良
谢克强
郑叶芳
陈家辉
马文会
谢刚
[J]. 中国有色金属学报, 2012, 22 (10) : 2970 - 2976
[2] 二氧化碳沉淀法制备高纯二氧化硅的工艺研究
和晓才
杨大锦
李怀仁
谢刚
徐庆鑫
瞿中标
[J]. 稀有金属, 2012, 36 (04) : 604 - 609
[3] 冶金级硅酸洗提纯研究(英文)
罗大伟
卢一平
刘宁
李廷举
张国良
[J]. 大连理工大学学报, 2012, 52 (01) : 40 - 46
[4] Kinetics of iron removal from metallurgical grade silicon with pressure leaching[J]. YU Zhanlianga, b, c, XIE Keqianga, MA Wenhuia, ZHOU Yanga, XIE Gangb, c, and DAI Yongniana a National Engineering Laboratory for Vacuum Metallurgy, Kunming University of Science and Technology, Kunming 650093, China b Technology Center of Yunnan Metallurgy Group Co., Kunming 650031, China c Kunming Metallurgy Research Institute, Kunming 650031, China. Rare Metals. 2011(06)
[5] 中国多晶硅发展处于起步阶段
屈平
白木
周洁
[J]. 电器工业, 2008, (05) : 24 - 29
[6] 冶金法提纯太阳能级硅材料的研究进展
罗绮雯
陈红雨
唐明成
[J]. 中国有色冶金, 2008, (01) : 12 - 14+23
[7] Removal of iron and aluminum impurities from metallurgical grade-silicon with hydrometallurgical route
于站良
马文会
戴永年
杨斌
刘大春
戴卫平
汪金仙
[J]. Transactions of Nonferrous Metals Society of China, 2007, (S1) : 1030 - 1033
[8] 太阳能级硅制备新技术研究进展
马文会
戴永年
杨斌
刘大春
王华
[J]. 新材料产业, 2006, (10) : 12 - 16
[9] The purification of metallurgical grade silicon by electron beam melting
Pires, JCS
Otubo, J
Braga, AFB
Mei, PR
[J]. JOURNAL OF MATERIALS PROCESSING TECHNOLOGY, 2005, 169 (01) : 21 - 25
[10] Thermodynamics of solar-grade-silicon refining[J] . K. Morita,T. Miki. Intermetallics . 2003 (11)

← 1 2 →