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- [1] 现代电镀手册.[M].刘仁志; 编著.化学工业出版社.2010,
MEMS器件的W2W真空封装研究
被引：3
作者：
董艳
机构：
[1] 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
来源：
关键词：
圆片对圆片工艺;
真空封装;
微电子机械系统;
Cu-Sn键合;
圆片级封装;
互溶扩散工艺;
D O I：
暂无
中图分类号：
TN405 [制造工艺];
学科分类号：
摘要：
开发了一种适于MEMS器件的基于W2W(圆片对圆片)工艺的简易的圆片级真空封装方法。通过电镀工艺在MEMS器件圆片和封盖圆片上各沉积含5μm Cu和1.5μm Sn金属层的键合环。器件圆片和封盖圆片在160℃及0.01Pa的真空环境中保持10 min以形成真空,之后在270℃及4 MPa保持30 min通过Cu和Sn的互溶扩散工艺完成键合。测量键合区内Cu元素和Sn元素的重量比,证实形成了Cu3Sn和Cu6Sn5金属间化合物。通过剪切力测试对单个芯片的键合面强度进行标定,计算剪切强度达32.20 MPa。
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