GaNxAs1-x（x<0.01）中合金态的光学特性

被引：0

作者：

罗向东

孙炳华

徐仲英

机构：

[1] 南通大学理学院

[2] 中国科学院半导体研究所超晶格国家重点实验室南通中国科学院半导体研究所超晶格国家重点实验室

[3] 北京

[4] 南通

来源：

关键词：

GaNAs; 合金态; 光学特性;

D O I：

暂无

中图分类号：

TB383 [特种结构材料];

学科分类号：

070205 ; 080501 ; 1406 ;

摘要：

应用多种光谱手段研究了分子束外延生长在半绝缘的 (0 0 1)GaAs衬底上的低氮含量的GaNAs中三元合金态的光学特性 .变温PL谱揭示了合金态的本征特性以及其与氮的杂质态的根本区别 ,而脉冲激发的光荧光谱则进一步显示了合金态的本征光学特性 .最后还研究了GaNAs的吸收光谱特征 .

引用

页码：2385 / 2388

页数：4

GaNxAs1-x（x&lt;0.01）中合金态的光学特性