共 1 条
增强型AlGaN/GaN槽栅HEMT(英文)
被引：6
作者：
王冲
张金凤
全思
郝跃
张进城
马晓华
机构：
[1] 西安电子科技大学微电子研究所宽禁带半导体材料与器件重点实验室
来源：
关键词：
高电子迁移率晶体管;
AlGaN/GaN;
槽栅;
阈值电压;
D O I：
暂无
中图分类号：
TN386 [场效应器件];
学科分类号：
摘要：
成功研制出蓝宝石衬底的槽栅增强型AlGaN/GaN HEMT.栅长1.2μm,源漏间距4μm,槽深15nm的器件在3V栅压下饱和电流达到332mA/mm,最大跨导为221mS/mm,阈值电压为0.57V,ft和fmax分别为5.2和9.3GHz.比较刻蚀前后的肖特基I-V特性,证实了槽栅刻蚀过程中非有意淀积介质层的存在.深入研究了增强型器件亚阈特性和频率特性.
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页码：1682 / 1685
页数：4
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