a-Si:H TFT电流-电压特性研究

被引：0

作者：

万新恒

徐重阳

邹雪城

张少强

袁奇燕

丁晖

机构：

[1] 华中理工大学固体电子学系!武汉

来源：

关键词：

非晶硅薄膜晶体管; 局域态电荷密度; 沟道区有效温度; 电流－电压特性;

D O I：

10.19453/j.cnki.1005-488x.1996.03.003

中图分类号：

TN1 [真空电子技术];

学科分类号：

080901 ;

摘要：

本文发展了一种研究a－Si：HTFT电流一电压特性的新方法。基于局域态电荷密度解析统一模型，提出并深入分析了沟道区有效温度参数的概念，并由此推导出了 a－Si：HTFT电流－电压特性的解析表达式。其理论值与实验值符合很好。该模型可用于a－Si：HTFT静态特性分析及其电路优化。

引用

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