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THE BEHAVIORS OF 48 keV Si IONS IMPLANTED INTO (100) GaAS
被引：0
作者：
刘惠珍，曹德新，朱德彰，朱福英，曹建清
机构：
关键词：
曹建;
THE BEHAVIORS OF 48 keV Si IONS IMPLANTED INTO;
刘惠珍;
曹德;
德彰;
GaAS;
D O I：
暂无
中图分类号：
O571 [原子核物理学];
学科分类号：
0827 ;
082701 ;
摘要：
ＴＨＥＢＥＨＡＶＩＯＲＳＯＦ４８ｋｅＶＳｉＩＯＮＳＩＭＰＬＡＮＴＥＤＩＮＴＯ（１００）ＧａＡＳＬｉｕＨｕｉｚｈｅｎ（刘惠珍）；ＣａｏＤｅｘｉｎ（曹德新）；ＺｈｕＤｅｚｈａｎｇ（朱德彰）；ＺｈｕＦｕｙｉｎｇ（朱福英）ａｎｄＣａｏＪｉａｎｑｉｎｇ（曹建清...
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页数：7
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