应变SiGe/SiΔ能谷附近色散关系的KP理论推导(英文)

被引：5

作者：

宋建军

张鹤鸣

舒斌

胡辉勇

戴显英

机构：

[1] 西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室

来源：

半导体学报 | 2008年 / 03期

关键词：

KP法; 导带; 应变硅锗;

D O I：

暂无

中图分类号：

TN304 [材料];

学科分类号：

摘要：

基于对称性分析,应用KP微扰理论确定了应变Si1-xGex(0≤x<0.45)/(001),(111),(101)Si的Δi能谷附近的色散关系.结果证明:应变Si1-xGex中的Δi能级大小不同于弛豫Si1-xGex的Δ1能级,而二者的横向、纵向有效质量(m1*,mt*)相同.Δi和Δ1能级之差由形变势理论确定.最后,描述了双轴应变下外延层材料的导带带边特征.

引用

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