磁控溅射法制备CeO2-TiO2紫外吸收薄膜

被引：6

作者：

周学东

倪佳苗

赵修建

杨晟

龚勇宏

肜建娜

机构：

[1] 武汉理工大学硅酸盐工程中心教育部重点实验室

来源：

武汉理工大学学报 | 2006年 / 01期

关键词：

CeO2-TiO2薄膜; UV吸收; 磁控溅射;

D O I：

暂无

中图分类号：

TB383.2 [];

学科分类号：

070205 ; 080501 ; 1406 ;

摘要：

采用射频磁控溅射在玻璃基片上沉积具有紫外吸收CeO2-TiO2混和薄膜。通过制备一系列不同物质的量浓度比的n（CeO2）∶n（TiO2）靶材（1.0∶0,0.90∶0.10,0.80∶0.20,0.70∶0.30,0.60∶0.40,0.50∶0.50,0.40∶0.60,0.30∶0.70,0.20∶0.80,0.10∶0.90,0∶1.0）,研究其紫外吸收性能最佳的物质的量浓度比。TiO2加入CeO2后,改变CeO2的结晶状态并提高UV吸收。采用Raman和XPS表征薄膜的特性,物质的量浓度比值在n（CeO2）∶n（TiO2）=0.5∶0.5,0.6∶0.4时,薄膜为非晶态,并具有高的紫外吸收（98%）和可见光透过率（70%80%）;XPS分析表明薄膜存在Ce4+,Ce3+和Ti4+。

引用

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