4H-SiC和6H-SiC功率VDMOSFET的单粒子烧毁效应

被引：11

作者：

刘忠永 ^{[1
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蔡理 ^{[1
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刘小强 ^{[1
]}

刘保军 ^{[2
]}

崔焕卿 ^{[1
]}

杨晓阔 ^{[1
]}

机构：

[1] 空军工程大学理学院

[2] 空军第一航空学院

来源：

微纳电子技术 | 2017年 / 54卷 / 02期

关键词：

碳化硅(SiC); 单粒子烧毁(SEB); 垂直双扩散MOSFET((VDMOSFET)); SEB阈值电压; 二维器件仿真;

D O I：

10.13250/j.cnki.wndz.2017.02.002

中图分类号：

TN386 [场效应器件];

学科分类号：

摘要：

对基于4H-SiC和6H-SiC的垂直双扩散MOSFET(VDMOSFET)的单粒子烧毁(SEB)效应进行了对比研究。建立了器件的二维仿真结构,对不同SiC材料构成的器件物理模型及其材料参数进行了修正。利用Silvaco TCAD软件进行了二维器件的特性仿真,得到了两器件SEB效应发生前后的漏极电流曲线和电场分布图。研究结果表明,4H-SiC和6H-SiC VDMOSFET的SEB阈值电压分别为335 V和270 V,发生SEB效应时的最大电场强度分别为2.5 MV/cm和2.2 MV/cm,4H-SiC材料在抗SEB效应方面比6H-SiC材料更有优势。所得结果可为抗辐射功率器件的设计及应用提供参考。

引用

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