具有非平面埋氧层的新型SOI材料的制备

被引：2

作者：

郭宇锋 ^{[1
]}

李肇基 ^{[2
]}

张波 ^{[2
]}

刘勇 ^{[3
]}

机构：

[1] 南京邮电大学光电工程学院

[2] 电子科技大学IC设计中心

[3] 中国电子科技集团第二十四研究所

来源：

半导体学报 | 2007年 / 09期

关键词：

SOI; 平坦化; 键合; 埋氧层;

D O I：

暂无

中图分类号：

TN304.12 [];

学科分类号：

0805 ; 080501 ; 080502 ; 080903 ;

摘要：

提出一种基于SDB技术的非平面埋氧层SOI材料制备方法.其关键技术包括:通过干法刻蚀、高压氧化和淀积二氧化硅获得高质量非平面埋氧层;通过化学气相淀积多晶硅来形成键合缓冲层,并运用回刻光刻胶和化学机械抛光来实现键合面的局部和全局平坦化;通过室温真空贴合、中温预键合和高温加固键合来进行有源片和衬底片的牢固键合.基于该技术研制了有源层厚度为21μm、埋氧层厚度为0.943μm、顶面槽和底面槽槽高均为0.9μm的具有双面绝缘槽结构的非平面埋氧层新型SOI材料.测试结果表明该材料具有结合强度高、界面质量好、电学性能优良等优点.

引用

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