IWO缓冲层对MOCVD-ZnO:B薄膜性能的影响研究

被引：0
|
作者：
闫聪博
陈新亮
陈雪莲
孙建
张德坤
魏长春
张晓丹
赵颖
耿新华
机构：
[1] 南开大学光电子薄膜器件与技术研究所光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室光电信息技术科学教育部重点实验室
来源：
光电子激光. | 2012年 / 23卷 / 04期
关键词：
MOCVD; ZnO:B薄膜; 透明导电氧化物(TCO); 薄膜太阳电池; 电子束蒸发; 掺W的In2O3(In2O3:W,IWO)薄膜; 绒度;
D O I：
10.16136/j.joel.2012.04.020
中图分类号：
TN304.055 [];
学科分类号：
摘要：
金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术生长的绒面ZnO透明导电(ZnO-TCO)薄膜应用于Si基薄膜太阳电池上能够形成"陷光结构",以提高薄膜太阳电池效率和稳定性。本文将电子束反应蒸发技术生长的掺W的In2O3(In2O3:W,(IWO)薄膜作为缓冲层,应用于MOCVD-ZnO:B薄膜与玻璃之间,可促进ZnO:B薄膜的生长,并且有效提升薄膜的光散射特性。当IWO缓冲层厚度为20nm时,获得的IWO/ZnO:B薄膜的电阻率为2.07×10-3Ω.cm,迁移率为20.9cm2.V-1.s-1,载流子浓度为1.44×1020 cm-3;同时,薄膜具有的透过率大于85%,且在550nm处绒度较ZnO:B薄膜提高了约9.5%,在800nm处绒度较ZnO:B薄膜提高了约4.5%。
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页数：6
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