Si衬底上GRIN-SCH GaAs/AlGaAs SQW激光器

被引：0

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作者：

相奇 ^{[1
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陈培毅 ^{[1
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谭智敏 ^{[1
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李志坚 ^{[1
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黄綺 ^{[2
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周均铭 ^{[2
]}

机构：

[1] 清华大学微电子学研究所

[2] 中国科学院物理研究所

来源：

高技术通讯 | 1993年 / 3卷 / 04期

关键词：

激光器; 量子阱; 异质外延; 光互连;

D O I：

暂无

中图分类号：

TN248 [激光器];

学科分类号：

摘要：

报道了Si衬底上分子束外延(MBE)生长渐变折射率分别限制异质结构GaAs/AlGaAs单量子阱激光器的实验研究结果。室温下脉冲激射阈值电流约500mA,77K最小脉冲激射阈值电流为20mA。

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共 4 条

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