铜化学机械抛光中的平坦性问题研究

被引：10

作者：

李秀娟

金洙吉

苏建修

康仁科

郭东明

机构：

[1] 大连理工大学精密与特种加工教育部重点实验室

[2] 大连理工大学精密与特种加工教育部重点实验室辽宁大连

[3] 辽宁大连

来源：

半导体技术 | 2004年 / 07期

基金：

国家自然科学基金重大项目;

关键词：

铜布线; 化学机械抛光; 碟形; 侵蚀; 超大规模集成电路;

D O I：

10.13290/j.cnki.bdtjs.2004.07.009

中图分类号：

TN405 [制造工艺];

学科分类号：

080903 ; 1401 ;

摘要：

铜的化学机械抛光(Cu-CMP)技术是ULSI多层金属布线结构制备中不可缺少的平坦化工艺。Cu-CMP后硅片表面的蝶形、侵蚀等平坦性缺陷将降低铜线的最终厚度和增大电阻率,从而降低器件性能和可靠性。而且可能进一步影响硅片的面内非均匀性(WIWUN),在多层布线中导致图案转移的不准确。本文介绍了对Cu-CMP平坦性的仿真、模拟和实验研究,并着重分析了碟形、侵蚀和WIWUN与抛光液、线宽和图案密度、抛光速度和载荷等相关参数的关系。

引用

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