反应溅射生长的a-Si:H/a-Ge:H超晶格光学性质研究

被引：3

作者：

王印月

许怀哲

张仿清

陈光华

机构：

[1] 兰州大学物理系

来源：

关键词：

超晶格结构; 小角度; 射线衍射; 结构无序; a-Si; 光学性质; 物理性能; 反应溅射法; Ge; Si;

D O I：

暂无

中图分类号：

学科分类号：

摘要：

本文报道了反应溅射法制备的a-Si:H/a-Ge:H超晶格结构特性.小角度X射线衍射测量和透射电子显微镜观察表明:超晶格层厚均匀、层间平行、界面处组分突变、周期性良好;喇曼散射、光吸收和红外透射表明:在超晶格中并不存在由于超晶格结构引起的界面结构无序,界面无H富集现象.

引用

页码：755 / 758

页数：4