用于SiGe材料生长的新型UHV/UV/CVD系统

被引:5
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作者
刘洪宁
孙建诚
胡辉勇
张鹤鸣
机构
[1] 西安电子科技大学微电子研究所!陕西西安
关键词
硅锗; 超高真空; 紫外光; 化学气相淀积;
D O I
10.16540/j.cnki.cn11-2485/tn.2000.03.005
中图分类号
TN305 [半导体器件制造工艺及设备];
学科分类号
1401 ;
摘要
介绍了新近研制的用于 Si Ge材料生长的超高真空 ( UHV) /紫外光 ( UV) /能量辅助 CVD工艺系统。
引用
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页数:3
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