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用于SiGe材料生长的新型UHV/UV/CVD系统
被引:5
|
作者
:
刘洪宁
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机构:
西安电子科技大学微电子研究所!陕西西安
刘洪宁
孙建诚
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西安电子科技大学微电子研究所!陕西西安
孙建诚
胡辉勇
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机构:
西安电子科技大学微电子研究所!陕西西安
胡辉勇
张鹤鸣
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机构:
西安电子科技大学微电子研究所!陕西西安
张鹤鸣
机构
:
[1]
西安电子科技大学微电子研究所!陕西西安
来源
:
真空电子技术
|
2000年
/ 03期
关键词
:
硅锗;
超高真空;
紫外光;
化学气相淀积;
D O I
:
10.16540/j.cnki.cn11-2485/tn.2000.03.005
中图分类号
:
TN305 [半导体器件制造工艺及设备];
学科分类号
:
1401 ;
摘要
:
介绍了新近研制的用于 Si Ge材料生长的超高真空 ( UHV) /紫外光 ( UV) /能量辅助 CVD工艺系统。
引用
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页码:26 / 28
页数:3
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