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微晶Si1-xCx:F:H薄膜X衍射和XPS研究
被引:0
作者
:
郑承志
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0
引用数:
0
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0
机构:
南京电子器件研究所
郑承志
机构
:
[1]
南京电子器件研究所
来源
:
固体电子学研究与进展
|
1993年
/ 03期
关键词
:
μc-Si1-xCx:F:H薄膜;
X衍射;
XPS;
两相混合结构;
能带模型;
D O I
:
暂无
中图分类号
:
学科分类号
:
摘要
:
用PECVD法分解SiH4,CF4,PH3和H2混合气体制备电导性能良好的磷重掺杂微晶Si1-xCx:F:H薄膜;薄膜的X衍射谱表明其结构为非晶-微晶两相混合结构;膜中C的XPS峰表现为F键合C和无F键合C两种信号的叠加;F键合c含量增大时,薄膜电导率迅速下降。文中提出了薄膜结构模型及能带模型。
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页码:216 / 220
页数:5
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