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等离子体增强化学气相沉积法制备立方氮化硼薄膜过程中的表面生长机理
被引：2
作者：
杨杭生
机构：
[1] 浙江大学材料与化学工程学院
来源：
基金：
浙江省自然科学基金;
关键词：
立方氮化硼薄膜;
等离子体;
质谱;
D O I：
暂无
中图分类号：
O484.1 [薄膜的生长、结构和外延];
学科分类号：
080501 ;
1406 ;
摘要：
利用感应耦合等离子体增强化学气相沉积法以Ar,He,N2和B2H6为反应气体制备了高纯立方氮化硼薄膜.用四极质谱仪对等离子体状况进行了系统的分析,发现B2H6完全被电离而N2只是部分被电离.H2和过量的N2在等离子体中生成大量中性的H原子和活化的N2,它们与表面的相互作用严重地阻碍了立方氮化硼的成核与生长.同时,H2等离子体和Ar等离子体并不能对sp2杂化氮化硼进行有效的选择性化学刻蚀和溅射.对在超薄硅片边上生长的立方氮化硼薄膜用高分辨电子显微镜进行直接观察,发现最优化条件下生长的立方氮化硼薄膜表面是纯立方相{111}晶面结构,不存在sp2杂化氮化硼表面薄层.研究结果表明,在等离子体增强化学气相沉积法制备立方氮化硼薄膜过程中,立方氮化硼是在表面上成核并生长的.
引用
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页码：4238 / 4246
页数：9
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