一种基于MEMS的射频低相位噪声压控振荡器的研制

被引：4

作者：

李丽 ^{[1
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赵正平 ^{[1
]}

张志国 ^{[1
]}

郭文胜 ^{[2
]}

吕苗 ^{[2
]}

杨瑞霞 ^{[1
]}

机构：

[1] 河北工业大学信息工程学院

[2] 中国电子科技集团公司第十三研究所

来源：

半导体学报 | 2006年 / 05期

关键词：

MEMS; 可变电容; Q值; 压控振荡器; 相位噪声;

D O I：

暂无

中图分类号：

TN753.9 [低噪声振荡器];

学科分类号：

080904 ;

摘要：

利用微机械可变电容作为频率调节元件,制备了一种中心频率为2GHz的LCVCO.微机械可变电容的控制极板与电容极板分离,并采用表面微机械工艺制造,在2GHz时的Q值最高约为38·462.MEMSVCO的测试结果表明,偏离2·007GHz的载波频率100kHz处的单边带相位噪声为-107·5dBc/Hz,输出功率为-13·67dBm.对微机械可变电容引起的机械热噪声以及减小空气压膜阻尼来降低相位噪声的方法进行了讨论,提出了一种优化阻尼孔数目的方法.

引用

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