掺杂β-FeSi的电子结构及光学性质的第一性原理研究

被引：10

作者：

闫万珺

谢泉

机构：

[1] 贵州大学电子科学与信息技术学院

来源：

半导体学报 | 2008年 / 06期

关键词：

掺杂β-FeSi2; 几何结构; 能带结构; 光学性质; 第一性原理;

D O I：

暂无

中图分类号：

O471 [半导体理论]; O472.3 [];

学科分类号：

070205 ; 080501 ; 0809 ; 080903 ;

摘要：

采用基于密度泛函理论的赝势平面波方法,对掺入Mn,Cr,Co,Ni的β-FeSi2的几何结构、能带结构和光学性质进行了研究.计算结果表明:(1)杂质的掺入改变了晶胞体积及原子位置,掺杂是调制材料电子结构的有效方式;(2)系统总能量的计算表明Mn掺杂时倾向于置换FeI位的Fe原子,而Cr,Co,Ni倾向于取代FeII位的Fe原子;能带结构的计算表明掺Mn,Cr使得β-FeSi2的费米面向价带移动,形成了p型半导体;而掺Co,Ni则使得β-FeSi2的费米面向导带移动,形成了n型半导体;(3)杂质原子的掺入在费米面附近提供了大量的载流子,改变了电子在带间的跃迁,对β-FeSi2的光学性质造成影响.

引用

页码：1141 / 1146

页数：6

共 5 条

[1] 铁硅化合物β-FeSi2带间光学跃迁的理论研究 [J].