应变Si电子电导有效质量模型

被引：5

作者：

赵丽霞

张鹤鸣

胡辉勇

戴显英

宣荣喜

机构：

[1] 西安电子科技大学微电子学院,宽禁带半导体材料与器件重点实验室

来源：

物理学报 | 2010年 / 59卷 / 09期

关键词：

应变Si; K·P法; 电导有效质量;

D O I：

暂无

中图分类号：

O482.4 [电学性质];

学科分类号：

摘要：

采用K·P微扰法建立了应变Si导带能谷由纵、横向有效质量表征的E-k关系,并在此基础上,研究分析了(001),(101),(111)晶面应变Si电子的电导有效质量与应力、能谷分裂能及晶向的关系.结果表明,弛豫Si1-xGex材料(001)面生长的应变Si沿[100],[010]晶向的电子电导有效质量和弛豫Si1-xGex材料(101)面生长的应变Si沿[010]晶向的电子电导有效质量随Ge组分(应力)的增加而减小,并逐渐趋于常数.以上结论可为应变SinMOS器件性能增强的研究及导电沟道晶向与应力设计提供理论依据.

引用

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