InAs/GaAs submonolayer quantum dot superluminescent diode emitting around 970 nm

被引：0

作者：

李新坤 ^{[1
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梁德春 ^{[1
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金鹏 ^{[1
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安琪 ^{[1
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魏恒 ^{[1
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吴剑 ^{[1
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王占国 ^{[1
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机构：

[1] Key Laboratory of Semiconductor Materials Science,Institute of Semiconductors,Chinese Academy of Sciences

来源：

Chinese Physics B | 2012年 / 02期

基金：

中国国家自然科学基金;

关键词：

quantum dot; submonolayer; self-assembled; superluminescent diode;

D O I：

暂无

中图分类号：

TN312.8 [];

学科分类号：

0803 ;

摘要：

According to the InAs/GaAs submonolayer quantum dot active region,we demonstrate a bent-waveguide superluminescent diode emitting at a wavelength of around 970 nm.At a pulsed injection current of 0.5 A,the device exhibits an output power of 24 mW and an emission spectrum centred at 971 nm with a full width at half maximum of 16 nm.

引用

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页数：4