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SiOx调制的三元硅化物(Co1-xNix)Si2外延
被引：1
作者：
韩永召
李炳宗
茹国平
屈新萍
曹永峰
徐蓓蕾
蒋玉龙
王连卫
张荣耀
朱剑豪
机构：
[1] 复旦大学电子工程系,复旦大学电子工程系,复旦大学电子工程系,复旦大学电子工程系,复旦大学电子工程系,复旦大学电子工程系,复旦大学电子工程系,中国科学院上海冶金研究所功能材料国家重点实验室,香港中文大学电子工程和材料科学与技术研究中心,香港城市大学物理和材料科学系
来源：
关键词：
三元硅化物;
固相反应;
外延;
D O I：
暂无
中图分类号：
TN304.054 [];
学科分类号：
摘要：
报道了通过 Co/ Ni/ Si Ox/ Si(10 0 )体系固相反应 ,实现三元硅化物 (Co1 - x Nix) Si2 薄膜外延生长及薄膜特性的表征 .测试结果表明 ,中间氧化硅层对原子扩散起到阻挡作用 .XRD和 RBS图谱显示 ,有中间层的样品所形成的硅化物膜和硅衬底有良好的外延关系 .而 Co/ Ni/ Si(10 0 )体系 ,则形成多晶硅化物膜 ,和硅衬底没有外延关系 .外延三元硅化物 (Co1 - x Nix) Si2 膜的晶格常数介于 Co Si2 和 Ni Si2 之间 ,从而可以降低生成膜的应力 .薄膜的厚度约为110 nm;最小沟道产额 (χmin)为 2 2 % .外延三元硅化物膜的电阻率约为 17μΩ· cm ;高温稳定性达 10 0 0℃ ,与 Co Si2膜相当
引用
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页数：5
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