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28nm FD-SOI工艺嵌入式存储器即将问世
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关键词：
嵌入式存储器;
快闪存储器;
FD-SOI;
非挥发性存储器;
SOI;
nm;
D O I：
暂无
中图分类号：
TP333 [存贮器];
学科分类号：
081201 ;
摘要：
三星晶圆代工业务(Samsung Foundry)准备开始以28nm FD-SOI工艺,提供SST-MRAM(spin torque transfer magnetic RAM)以及快闪存储器,做为嵌入式非挥发性存储器(eN VM)选项。Samsung Foundry行销暨业务开发负责人Kelvin Low表示,该公司的技术蓝图显示,28nm FD-SOI
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