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分子束外延GaAs1－xSbx／GaAs及界面失配研究
被引：3
|作者：
阎春辉，郑海群，范缇文，孔梅影，曾一平，黄运衡，朱世荣，孙殿照
机构：
[1] 中国科学院半导体研究所
来源：
关键词：
失配度;
晶体质量;
阶变;
过渡层;
地层;
GaAs;
外延层;
Sb_x;
分子束外延;
D O I：
暂无
中图分类号：
O471 [半导体理论];
学科分类号：
摘要：
本文以开发长波长半导体光电子材料为目的，对ＧａＡｓ１－ｘＳｂｘ／ＧａＡｓ这一大失配异质结材料开展了较为深人的研究，利用国产ＭＢＥＩＩＩ型设备外延生长了全组分的ＧａＡｓ１－ｘＳｂｘ材料，化学热力学数据分析表明，Ｓｂ结合到ＧａＡｓｓｂ中的速率比Ａｓ高得多，实验表明，合金组分可由Ｓｂ／Ｇａ束流比控制，也发现Ｓｂ束流的支配作用随温度升高而降低．利用ＴＥＭ和ＲＢＳ技术研究了异质结界面及外延层的晶体质量，实验表明采用组分阶变的过渡层有效地抑制了界面位错向体层的延伸，可以获得较高晶体质量的外延层．
引用
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页码：665 / 669+727
页数：6
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