单片X波段GaAs MESFET振荡器

被引：0

作者：

叶禹康

王福臣

楼洁年

机构：

[1] 南京固体器件研究所,南京固体器件研究所,南京固体器件研究所

来源：

关键词：

振荡器; 电子设备; GaAs MESFET; MESFET; 单片; 波段;

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摘要：

本文介绍了单片X波段GaAs MESFET振荡器的研究结果,阐明了计算GaAs MES FET三端口S参数以及用此参数设计单片振荡器的方法,给出了单片振荡器的制造技术及测试结果;10.3GHz时输出30mW;8.2GHz时输出40mW,效率15％。

引用

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