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用POCl3作源进行磷处理
被引：0
|作者：
陈元钦
机构：
[1] 四四三一厂
来源：
关键词：
低温淀积;
SiO;
单结;
二次击穿;
POCl3;
PSG;
发射区;
双结;
氧化层电荷;
D O I：
10.13290/j.cnki.bdtjs.1981.01.006
中图分类号：
学科分类号：
摘要：
<正> 在以往的低功耗运算放大器中,以及试制P-24电路中经常发现:①单结二次击穿较多,击穿低且漏电大。②重复性差,同一批片子（或同一片上）,单结、双结特性相差很大,β从几到几百,③合金后β比原来磷扩散后大4～5倍,甚至比套刻引线孔后也差数倍。④在P-24电路中,纵向pnp管的BVce（?）低,甚至穿通的相当多。 分析其产生的原因可能是由于Cr+离子抛光的硅片,在抛光后的损伤层很大,一般在1.2μ以上;各次高温工艺也引进了大量缺陷。经过缺陷显示,发现大量的杆状、三角锥、以
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