(Zr0.8Sn0.2)TiO4陶瓷预烧和烧结工艺研究

被引：2

作者：

王国庆

吴顺华

颜海洋

机构：

[1] 天津大学电子信息工程学院

来源：

压电与声光 | 2003年 / 04期

关键词：

(Zr0.8Sn0.2)TiO4; 预烧; 烧结; 介电性能;

D O I：

暂无

中图分类号：

TQ174 [陶瓷工业];

学科分类号：

摘要：

研究了预烧和烧结工艺对(Zr0.8Sn0.2)TiO4系统陶瓷材料介电性能的影响,发现预烧温度对介电常数ε影响不大,但预烧温度过高或过低会使介电损耗tanδ增大;在一定范围内提高烧结温度能使ε增加,但烧结温度过高或过低会使tanδ增大。XRD分析表明,在1100°C预烧,1150°C烧结的该系统主晶相是(Zr0.8Sn0.2)TiO4。该系统具有优良的介电性能(1MHz):ε≈38,tanδ≤10-4,体电阻率ρv≥1013·cm,温度系数αc=0±30×10-6/°C。

引用

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