纳米氧化铈的制备及其抛光性能的研究

被引：20

作者：

张鹏珍 ^{[1
]}

雷红 ^{[1
]}

张剑平 ^{[2
]}

施利毅 ^{[1
]}

机构：

[1] 上海大学纳米中心

[2] 上海大学理学院

来源：

光学技术 | 2006年 / 05期

关键词：

纳米CeO2; 化学机械抛光; 玻璃基片;

D O I：

10.13741/j.cnki.11-1879/o4.2006.05.011

中图分类号：

TB383.1 [];

学科分类号：

070205 ; 080501 ; 1406 ;

摘要：

采用溶胶-凝胶法制备了纳米CeO2粉体,并采用XRD、TOF-SIMS对其进行了表征。结果表明平均晶粒度在13.3nm,粒度分布均匀。进而研究了纳米CeO2在玻璃基片抛光中的抛光性能。ZYGO形貌仪表明,抛光后其表面平均粗糙度值(Ra)可降低到0.6nm左右。原子力显微镜(AFM)在5μm×5μm范围内测得基片表面粗糙度Ra值为0.281nm,表面光滑,划痕等表面微观缺陷明显改善。

引用

页码：682 / 684+687 +687

页数：4

共 5 条

[1] 化学机械抛光技术的研究进展 [J].