隧道场效应晶体管静电放电冲击特性研究

被引：3

作者：

王源 ^{[1
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张立忠 ^{[1
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曹健 ^{[1
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陆光易 ^{[1
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贾嵩 ^{[1
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张兴 ^{[1
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机构：

[1] 北京大学微纳电子学研究院

[2] 微纳电子与集成系统协同创新中心

来源：

物理学报 | 2014年 / 63卷 / 17期

关键词：

隧道场效应晶体管(TFET); 静电放电(ESD); 传输线脉冲(TLP); 带带隧穿机理;

D O I：

暂无

中图分类号：

O461 [气体放电（气体导电）];

学科分类号：

0809 ; 080901 ;

摘要：

随着器件尺寸的不断减小,集成度的逐步提高,功耗成为了制约集成电路产业界发展的主要问题之一.由于通过引入带带隧穿机理可以实现更小的亚阈值斜率,隧道场效应晶体管(TFET)器件已成为下一代集成电路的最具竞争力的备选器件之一.但是TFET器件更薄的栅氧化层、更短的沟道长度容易使器件局部产生高的电流密度、电场密度和热量,使得其更容易遭受静电放电(ESD)冲击损伤.此外,TFET器件基于带带隧穿机理的全新工作原理也使得其ESD保护设计面临更多挑战.本文采用传输线脉冲的ESD测试方法深入分析了基本TFET器件在ESD冲击下器件开启、维持、泄放和击穿等过程的电流特性和工作机理.在此基础之上,给出了一种改进型TFET抗ESD冲击器件,通过在源端增加N型高掺杂区,有效的调节接触势垒形状,降低隧穿结的宽度,从而获得更好的ESD设计窗口.

引用

页码：376 / 383

页数：8

共 3 条

[1] 基于深亚微米工艺的栅接地NMOS静电放电保护器件衬底电阻模型研究 [J].