4H-SiC MESFET结构与直流特性研究

被引：1

作者：

徐俊平

杨银堂

贾护军

张娟

机构：

[1] 西安电子科技大学微电子学院

来源：

微纳电子技术 | 2008年 / 01期

关键词：

4H-SiC金属外延半导体场效应晶体管; 凹栅; 埋栅; 表面陷阱;

D O I：

10.13250/j.cnki.wndz.2008.01.009

中图分类号：

TN386 [场效应器件];

学科分类号：

摘要：

运用二维器件模拟器ISETCAD对4H-SiCMESFET不同结构的直流特性进行了模拟,重点考虑表面陷阱对直流特性的影响。与凹栅结构相比,埋栅结构的器件降低了表面陷阱对电流的影响,饱和漏电流提高了37%,而且阈值电压的绝对值增大、跨导升高,对提高4H-SiCMES-FET器件的输出功率起到一定的作用。

引用

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