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基于二维材料的Ⅲ族氮化物外延
被引：5
作者：
谭晓宇
杨少延
李辉杰
机构：
[1] 中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室
来源：
基金：
国家重点研发计划;
国家高技术研究发展计划(863计划);
广东省科技计划;
关键词：
氮化镓;
石墨烯;
六方氮化硼;
过渡金属硫族化物;
D O I：
暂无
中图分类号：
TQ126.29 [];
学科分类号：
0817 ;
摘要：
Ⅲ族氮化物合金因其宽广的可调能隙和优良的光电性能,在照明、电力电子、通讯、能源等领域有巨大优势,促使其材料制备技术不断发展.如何解决Ⅲ族氮化物异质外延过程中晶格及热胀失配对材料质量的影响,是当前的研究重点.近年来,二维材料作为一类新兴材料受到了极大的关注.借助二维材料层间弱键合的特性,有望降低Ⅲ族氮化物的制备成本、提高晶体质量,并实现柔性器件的制备,从而将其应用领域拓宽至可穿戴器件、可折叠器件等.本文综述了近年来国内外在二维材料上制备Ⅲ族氮化物的研究报道,介绍了石墨烯、六方氮化硼、过渡金属硫族化物等二维材料上制备氮化物的各种尝试和成果,总结了二维材料上Ⅲ族氮化物制备的特点,并对其未来发展趋势做了展望.
引用
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页码：271 / 279
页数：9
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