同时实现介电常数和磁导率为负的H型结构单元左手材料

被引：51

作者：

刘亚红

罗春荣

赵晓鹏

机构：

[1] 西北工业大学电流变技术研究所

来源：

物理学报 | 2007年 / 10期

关键词：

左手材料; 负折射; 相位;

D O I：

暂无

中图分类号：

O482.4 [电学性质];

学科分类号：

070205 ; 0805 ; 080502 ; 0809 ;

摘要：

基于用一种结构同时实现材料介电常数和磁导率为负的思想,提出了H型结构单元左手材料模型.采用矩形波导法测试表明,H型结构单元在微波频率范围出现左手透射峰,并且可以由参数t对左手特性区域进行调控.同时利用相位法、棱镜折射法和散射参量法从实验和理论证明了在左手透射峰区域材料的折射率为负值,介电常数和磁导率亦同时为负.相对由金属开口谐振环与金属线两种结构组合实现的左手材料,H型结构集磁谐振与电谐振于一体,结构简单、制备方便,对微波器件左手材料表现出更多的优越性.

引用

页码：5883 / 5889

页数：7

共 4 条

[1] 一维负磁导率材料中的缺陷效应 [J].

赵乾 ;

赵晓鹏 ;

康雷 ;

张富利 ;

刘亚红 ;

罗春荣 .

物理学报, 2004, (07) :2206-2211

[2] 电流变液微波反射可调控性 [J].

黄敏 ;

赵晓鹏 ;

王宝祥 ;

尹剑波 ;

曹昌年 .

物理学报, 2004, (06) :1895-1899

[3]

Zhou J.F,Zhang L,Tuttle G,Koschny T,and Soukoulis C.M. Physical Review B Condensed Matter and Materials Physics . 2006

[4]

Kafesaki,M.,Koschny,T.,Penciu,R.S.,Gundogdu,T.F.,Economou,E.N.,Soukoulis,C.M. J. Opt. A Pure Appl. Opt . 2005

← 1 →