制绒Si片清洗工艺的研究

被引：5

作者：

王淑珍 ^{[1
,2
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乔琦 ^{[3
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陈肖静 ^{[2
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王永谦 ^{[2
]}

朱拓 ^{[1
,4
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张光春 ^{[2
]}

施正荣 ^{[2
]}

李果华 ^{[1
]}

机构：

[1] 江南大学理学院

[2] 尚德电力控股有限公司薄膜研发部

[3] 江南大学通信与控制工程学院

[4] 河海大学能源与电气学院

来源：

半导体技术 | 2010年 / 35卷 / 04期

关键词：

晶体硅太阳电池; 硅片清洗; 表面微粗糙度; 少子寿命;

D O I：

暂无

中图分类号：

TN305 [半导体器件制造工艺及设备]; TM914.41 [];

学科分类号：

1401 ; 080502 ;

摘要：

研究对比了不同清洗工艺对制绒Si片性能的影响,采用原子力显微镜和少子寿命测试仪测试经不同化学清洗工艺处理之后的Si片表面微粗糙度和少子寿命。研究发现,使用浓硫酸、双氧水混合液和稀释的氢氟酸溶液清洗Si片能够有效改善Si片表面的质量,Si片表面的微粗糙度由原先的5.96μm降低到4.45μm;采用等离子体增强化学气相沉积法在清洗之后的Si片上生长本征氢化非晶Si层,对Si片进行表面钝化,钝化之后的Si片少子寿命可达107.88μs。测试结果还表明,采用此种清洗方法处理的Si片少子寿命稳定性有很大提高。

引用

页码：305 / 308

页数：4

共 5 条

[1] 硅片清洗技术进展 [J].