电离辐射对Si3N4/SiO2/Si中SiO2禁带的影响

被引：0

作者：

刘昶时

机构：

[1] 嘉兴学院机电学院物理教学部

来源：

固体电子学研究与进展 | 2009年 / 29卷 / 01期

关键词：

能带弯曲; 禁带; X光激发电子能谱; 二氧化硅; 辐照;

D O I：

暂无

中图分类号：

O481.1 [能带论];

学科分类号：

070205 ; 0805 ; 080502 ; 0809 ;

摘要：

根据X光激发电子能谱(XPS)中元素各个态的位置与价带顶、导带底的位置关系,提出了对一个已有唯像模型的修正,由这个修正模型能够利用XPS数据考察异质结的禁带在经历某些过程后是否有变化。将这个方法应用于经历60Co辐照的Si3N4/SiO2/Si,结果表明:从SiO2到Si存在SiO2禁带的弯曲,而辐照将SiO2禁带变薄;同时,SiO2禁带的变化明显依赖于辐照条件。就实验现象的机制进行了探讨。

引用

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