介质阻挡放电常压化学气相沉积技术及其在薄膜制备中的应用

被引：2

作者：

徐世友

张溪文

韩高荣

机构：

[1] 浙江大学材料系硅材料国家重点实验室

[2] 浙江大学材料系硅材料国家重点实验室杭州

[3] 杭州

[4] 杭州

来源：

材料导报 | 2003年 / 09期

关键词：

PECVD; DBD; DBD-CVD;

D O I：

暂无

中图分类号：

TB43 [薄膜技术];

学科分类号：

0805 ;

摘要：

介质阻挡放电(DBD)是一种可以在常压下工作的放电形式,以这种放电形式为离子源的介质阻挡化学气相沉积(DBD-CVD)技术可以以较高的反应物流量实现多种薄膜的沉积,因而有广阔的应用前景。综述了DBD技术的发展历史及相关理论,着重介绍了DBD-CVD技术及其应用现状,并提出展望。

引用

页码：75 / 77

页数：3

共 3 条

[1] Deposition process based on organosilicon precursors in dielectric barrier discharges at atmospheric pressure-A comparison [J].

Sonnenfeld, A. ;

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Plasmas and Polymers, 2001, 6 (04) :237-266

[2]

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[3]

Thin Films Deposition from Hexamethyldisiloxane and Hexamethyldisilazane under Dielectric-Barrier Discharge (DBD) Conditions[J] . Plasmas and Polymers . 2000 (3)

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