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V-MOS工艺
被引：0
|作者：
何玉表
机构：
[1] 一四四七所
来源：
关键词：
多晶硅;
V-MOS;
晶体;
衬底;
基片;
自对准;
漏区;
硅表;
香通;
电压;
D O I：
暂无
中图分类号：
学科分类号：
摘要：
<正> 一、引言半导体工艺实验室中开发的新工艺,大体上每隔二、三年达到成熟阶段,并将之转入 LSI(大规模集成电路)的生产制造中。LSI 技术从七十年代系初期的高阈值 P 沟边铝栅 MOS 工艺起,经 P 沟边单层硅栅、
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