在GaAs(100)ZnSe(110)衬底上VPE生长ZnSe薄膜

被引：0

作者：

师庆华

机构：

来源：

发光快报 | 1990年 / 03期

关键词：

衬底; 基片; VPE; GaAs; ZnSe; 异质外延膜; 外延生长; 晶体生长; 110;

D O I：

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摘要：

用高纯度Zn和Se做原材料研究了在GaAs(100)和ZnSe(110)衬底上外延生长ZnSe薄膜.实验是在723和873K下进行的,用光致发光测量、二次离子值谱仪(SIMS)、椭圆对称分析和光学显微镜观察对生长的薄膜进行了测量分析,在Zn和Se的输运比接近1的条件下获得了最佳外延生长膜.对异质外延膜的SIMS分析表明主要受主型杂质最Li和Na.同时,发现在相同生长条件下,与在GaAs衬底上生长的薄膜相比,在高纯ZnSe衬底上外延生长薄膜的PL特性有所改进。值得注意的是衬底纯度对ZnSe衬底上生长薄膜的纯度有很大影响。

引用

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