基于深亚微米工艺的栅接地NMOS静电放电保护器件衬底电阻模型研究

被引：5

作者：

吴晓鹏

杨银堂

高海霞

董刚

柴常春

机构：

[1] 西安电子科技大学微电子学院,宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室

来源：

物理学报 | 2013年 / 62卷 / 04期

基金：

国防预研究基金;

关键词：

栅接地n型金属氧化物半导体器件; 静电放电; 衬底电阻模型;

D O I：

暂无

中图分类号：

TN386.1 [金属-氧化物-半导体（MOS）器件];

学科分类号：

0805 ; 080501 ; 080502 ; 080903 ;

摘要：

在考虑了电导率调制效应的情况下对深亚微米静电放电(electrostatic discharge,ESD)保护器件的衬底电阻流控电压源模型进行优化,并根据轻掺杂体衬底和重掺杂外延型衬底的不同物理机制提出了可根据版图尺寸调整的精简衬底电阻宏模型,所建模型准确地预估了不同衬底结构上源极扩散到衬底接触扩散间距变化对触发电压Vt1的影响.栅接地n型金属氧化物半导体器件的击穿特性结果表明,所提出的衬底电阻模型与实验结果符合良好,且仿真时间仅为器件仿真软件的7%,为ESD保护器件版图优化设计提供了方法支持.

引用

页码：432 / 438

页数：7

共 5 条

[1] 静电放电对功率肖特基二极管I-V及低频噪声特性的影响 [J].