直流磁控溅射ZnO:Al薄膜的光电和红外发射特性

被引：8

作者：

王文文

刁训刚

王峥

王天民

不详

机构：

[1] 北京航空航天大学理学院

[2] 北京航空航天大学理学院北京

[3] 北京

来源：

北京航空航天大学学报 | 2005年 / 02期

关键词：

透明导电薄膜; 磁控溅射; ZnO:Al薄膜; 方块电阻; 禁带宽度; 红外发射率;

D O I：

10.13700/j.bh.1001-5965.2005.02.028

中图分类号：

O484.4 [薄膜的性质];

学科分类号：

080501 ; 1406 ;

摘要：

以锌、铝合金 (ω(Al) =3% )为靶材 ,利用直流反应磁控溅射法制备了系列掺铝氧化锌ZnO :Al(ZAO)薄膜样品 ,通过X射线衍射 (XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、分光光度计、霍耳效应及红外发射率测量仪等测试仪器或方法表征了样品的结构、形貌、光学、电学及红外发射特性 .测得样品最低电阻率达到 1 .8× 1 0 -6(Ω·m) ,最大禁带宽度为 3.47eV ,可见光区平均透过率达到 90 % ,8～ 1 4μm波段平均红外发射率在 0 .2 6～ 0 .9之间 .上述特性均随衬底温度和溅射功率的变化有着规律的变化 .当方块电阻小于 45Ω时 ,薄膜在 8～ 1 4μm波段平均红外发射率与方块电阻遵循二阶函数变化规律 .

引用

页码：236 / 241

页数：6

共 7 条

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