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ZnSe1-xSx-ZnSe应变超晶格结构光致发光研究附视频
被引:2
作者
:
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机构:
关郑平
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机构:
范广涵
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引用数:
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机构:
宋世惠
范希武
论文数:
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引用数:
0
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0
机构:
中国科学院长春物理研究所
范希武
机构
:
[1]
中国科学院长春物理研究所
来源
:
半导体学报
|
1991年
/ 03期
关键词
:
ZnSeS/ZnSe超晶格;
激子线型;
光致发光;
D O I
:
暂无
中图分类号
:
学科分类号
:
摘要
:
本文研究了ZnSe1-xSx-ZnSe应变超晶格结构在77K时自由激子的光致发光的线型随激发光密度、势阱涨落、势垒高度的涨落及各层厚对超晶格发光峰E?的影响,并利用Kronig-Penney模型计算了n=1的激子峰值能量与势阱宽度、势垒高度涨落的关系.首次从实验上分析了77-250K温度范围内ZnSe1-xSx-ZnSe应变超晶格激子发光的线型与各参量的密切关系.
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页码:165 / 171
页数:7
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[1]
to be published in "World Sci. Z. H. Zheng,Z.P. Guan,X. W. Fan,L. C. Cheng and A. H.Yang. . 1990
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to be published in "World Sci. Z. H. Zheng,Z.P. Guan,X. W. Fan,L. C. Cheng and A. H.Yang. . 1990
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