反应压力对MOCVD法沉积ZnO薄膜性质的影响

被引：5
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作者：
陈新亮
薛俊明
张德坤
孙健
任慧志
赵颖
耿新华
机构：
[1] 南开大学光电薄膜器件与技术研究所光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室,光电信息技术科学教育部重点实验室
来源：
光电子激光. | 2007年 / 07期
基金：
天津市自然科学基金;
关键词：
金属有机化学气相沉积(MOCVD); ZnO薄膜; 透明导电氧化物(TCO); 太阳电池;
D O I：
10.16136/j.joel.2007.07.010
中图分类号：
TN304.05 [];
学科分类号：
摘要：
研究了反应压力对金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术制备未掺杂ZnO薄膜的微观结构和光电特性影响。X射线衍射(XRD)和扫描电子镜(SEM)的研究结果表明,随着反应压力的降低,ZnO薄膜(002)择优峰的强度呈现相对减弱趋势,并且出现了较强的(110)峰;Hall测量表明,低的反应压力有助于提高薄膜电学特性。200Pa时制备出的ZnO薄膜具有明显的"类金字塔"状绒面结构,电阻率为1.28×10-2Ω.cm。实验中沉积的ZnO薄膜在600～2600nm内平均透过率超过80%,而短波长范围由于光散射作用,ZnO薄膜的垂直透过率有所下降。
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