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等离子体聚合法修饰半导体光电极的研究——聚丙烯腈/n-GaAs,n-GaP电极
被引：0
|作者：
许颂临
庄启星
吴丽云
伍振尧
机构：
[1] 厦门大学化学系
[2] 福建海洋研究所
来源：
关键词：
电极表面;
离子;
镀膜;
GaAs;
等离子体聚合;
D O I：
暂无
中图分类号：
学科分类号：
摘要：
<正> 用导电聚合物修饰光电化学体系中的半导体电极,对于抑制电极的光腐蚀、改善电极特性及赋予其催化功能有明显的效果.在制备聚合物薄膜的几种方法中,等离子体聚合可得到高度交联、均匀、化学稳定性好的超薄膜,且成膜工序简单,已引起重视并取得初步应用。等离子体聚合法修饰导体电极国内外均有报道,但在修饰半导体电极方面的研究甚少。本文探讨了用这种方法在n-GaAs、n-GaP电极上制备聚丙烯腈(PAN)薄膜,并进行
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页码：648 / 652
页数：5
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