低介电聚酰亚胺的制备及研究进展

被引：7

作者：

佟望舒 ^{[1
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张以河 ^{[1
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张茜 ^{[1
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吕凤柱 ^{[1
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余黎 ^{[1
]}

安琪 ^{[1
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高迪 ^{[2
]}

刘雷鹏 ^{[1
]}

机构：

[1] 中国地质大学(北京)材料科学与工程学院

[2] 山东非金属材料研究所

来源：

科技导报 | 2014年 / 32卷 / 09期

关键词：

聚酰亚胺; 低介电常数; 复合材料;

D O I：

暂无

中图分类号：

TQ323.7 [聚酰亚胺类及塑料];

学科分类号：

0805 ; 080502 ;

摘要：

介绍了近年来国内外低介电常数聚酰亚胺(PI)及其复合材料的制备方法,重点讨论了介孔氧化硅、二氧化硅管和多面体低聚倍半硅氧烷(POSS)在降低PI介电常数方面的应用,并对低介电常数聚酰亚胺材料的发展前景进行了展望,指出将多孔材料添加到PI中,形成具有骨架结构的孔洞,所制备出的复合材料,具有较低介电常数的同时也有较好的力学性能,为低介电PI材料的制备提供了一条新思路。

引用

页码：63 / 66

页数：4

共 29 条

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