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- [6] Silicon carbide ceramics through temperature-induced gelation and pressureless sintering[J] . X. Xu,S. Mei,J.M.F. Ferreira,T. Nishimura,N. Hirosaki. Materials Science & Engineering A . 2004 (1)
真空原位合成SiC-TiC复合粉末及其氧化性能研究
被引：4
作者：
胡继林
[1
,2
]
刘鑫
[1
]
丁常泽
[1
]
郭文明
[2
]
机构：
[1] 湖南人文科技学院化学与材料科学系
[2] 湖南大学材料科学与工程学院
来源：
关键词：
真空;
SiC-TiC;
复合粉末;
碳热还原法;
氧化性能;
D O I：
10.16521/j.cnki.issn.1001-9642.2012.06.021
中图分类号：
TQ174.1 [基础理论];
学科分类号：
摘要：
以碳化硅、二氧化钛和炭黑为原料,在真空条件下原位合成SiC-TiC复合粉末。采用XRD、SEM等测试手段对合成SiC-TiC复合粉末的物相组成和显微形貌进行表征,同时对合成的粉末样品的氧化性能进行探讨。实验结果表明:在本实验条件下,SiC-TiC复合粉末适宜的合成条件为在1350℃保温1h。在SiC粉末中原位生成的TiC,以粒径为0.1～0.2μm左右的小颗粒存在。SiC-TiC复合粉末在氧化过程中,在较低温度下TiC优先氧化生成TiO2,在较高温度下(1100℃左右)SiC才开始氧化生成SiO2。
引用
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