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退火对氧敏CeO2-x薄膜结构及电子组态的影响
被引：2
作者：
杜新华
刘振祥
谢侃
王燕斌
褚武扬
机构：
[1] 北京科技大学
[2] 中国科学院物理研究所表面物理国家重点实验室
来源：
关键词：
二氧化铈;
薄膜;
晶体结构;
退火;
D O I：
暂无
中图分类号：
O484 [薄膜物理学];
学科分类号：
080501 ;
1406 ;
摘要：
用射频磁控溅射法制备了CeO2-x高温氧敏薄膜．用Ce3d的XPS谱计算了Ce3＋浓度．研究了退火条件对氧敏CeO2-x薄膜的晶体结构及电子组态的影响XRD和AFM分析表明，薄膜经973K至1373K退火后，形成了CaF2型结构的CeO2-x，其晶粒大小明显依赖于退火条件和膜厚．退火温度在973K至1173K时，（200）晶面是择优取向的，在1373K退火4h后，可得到热力学稳定的CeO2－x，在退火前后薄膜表面存在少量Ce3＋．
引用
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页数：5
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