溅射二氧化铈氧敏薄膜的XPS研究

本文用射频磁控溅射法制备了CeO2-x高温氧敏薄膜。利用X射线光电子能谱（XPS）研究了不同处理条件对CeO2-x薄膜电子组态的影响，特别是对表面的价态和吸附性质的影响。通过对Ce3dXPS谱的高斯拟合，计算了Ce3+浓度并给出了判定Ce4+还原的标志。研究结果表明，在空气中经1173K高温退火后可得到结晶完好的多晶CeO2薄膜，而薄膜的化学价态没有变化，退火前后薄膜表面总有少量Ce3+存在（15％）。退火后部分还原的CeO2表面具有极强的吸附和再氧化能力，还原程度越高，其再氧化的能力也越强。